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新闻导读】纳微半导体已推出的8款明星高压氮化镓功率芯片分别是大名鼎鼎的NV6113、NV6115、NV6117、NV6123、NV6125、NV6127、NV6128以及NV6252。你们大爱的小米65W，OPPO50W，联想口红氮化镓充电器里，都有他们的身影！
NV6113 GaNFast功率芯片采用5*6mm QFN封装，尺寸小巧，内置复杂的逻辑控制电路和驱动器，导通电阻为300mΩ，耐压650V，支持2MHz开关频率。
NV6115 GaNFast功率芯片采用5*6mm QFN封装，节省面积，同时还内置复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率。
NV6117氮化镓功率芯片采用5*6mm QFN封装，节省面积，内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，120mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率。
NV6123是NV6113的散热增强版，为高频率和软开关拓扑优化，内部集成驱动器，导阻300mΩ，6*8mm QFN封装。
NV6125内置驱动器，175mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，适用于升压、降压、半桥、全桥开关电源等诸多应用场合。
NV6127相比NV6117散热升级，更大的散热焊盘，125mΩ导阻，内置驱动器支持10-30V供电，最高支持2MHz开关频率。
NV6252 GaNFast功率IC是全球第一款集成驱动的半桥氮化镓POWER IC，它内置逻辑、驱动、保护等功能，并且可以灵活设置dv/dt。由于它的内阻300mΩ导通阻抗以及具有非常小的寄生参数，已经广泛运用于中小功率高频软开关拓扑例如half-birdge、buck、boost、resonant等。
NV6128是一款全新额定电压650V/800V的大功率GaNFast功率芯片，其集成了GaN、驱动器和逻辑保护器件，外围更加精简。该芯片采用6 x 8 mm小型PQFN封装，内阻低至70mΩ，并拥有专有的集成散热垫，电流承载能力提高了66％，适用于高效率、高功率密度的电源系统。
在氮化镓快充领域，纳微半导体的商业应用最为领先，不仅拥有最多的客户，产品应用案例已超百款，从小功率的20W快充，到功率高达200W的大功率快充，纳微半导体的成功应用案例比比皆是。尤其是在65W功率段，GaNFast功率芯片频频进入OPPO、小米、努比亚、联想、坚果、贝尔金等知名品牌厂商供应链，性能获得一线品牌的高度认可。
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