明佳达电子推出英飞凌《IPP084N06L3G》N-通道 60V 50A OptiMOS™3功率晶体管 全新原装 价格实惠
| 年份 | 1032+ |
| 封装 | TO-220 |
规格
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Infineon Technologies
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系列
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OptiMOS™
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包装
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管件
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零件状态
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有源
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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50A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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8.4 毫欧 @ 50A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.2V @ 34µA
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Vgs（最大值）
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±20V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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79W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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PG-TO220-3
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封装/外壳
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TO-220-3
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漏源电压（Vdss）
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60 V
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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29 nC @ 4.5 V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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4900 pF @ 30 V
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基本产品编号
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IPP084
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•非常适合高频切换和同步。记录
•DC / DC转换器的优化技术
•极好的栅极电荷x R DS（on）乘积（FOM）
•N通道，逻辑电平
•经过100％雪崩测试
•无铅电镀；符合RoHS
•通过JEDEC认证1）针对目标应用
•无卤，符合IEC61249-2-21
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