明佳达电子供应ON NTMFD4C85NT1G 2N沟道（双）非对称型 MOSFET - 阵列
| 年份 | 1735+ |
| 封装 | QFN |
规格
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FET 类型
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2 N 沟道（双）非对称型
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FET 功能
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标准
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漏源电压（Vdss）
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30V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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15.4A，29.7A
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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3 毫欧 @ 20A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.1V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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32nC @ 10V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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1960pF @ 15V
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功率 - 最大值
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1.13W
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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8-PowerTDFN
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供应商器件封装
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8-DFN（5x6）
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应用领域
• DC-DC转换器
•系统电压轨
•负载点
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