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市场供给缺口在持续扩大情况下,利基型DRAM价格再现飙涨行情

消息称,随着韩系DRAM大厂加速旧制程移转生产CMOS影像传感器,在市场供给缺口持续扩大情况下,利基型DRAM价格再现飙涨行情,5月合约价续涨9~13%,累计今年涨幅已逾50%,其中缺货最严重的2Gb x16 DDR3合约价今年涨幅已逼近90%。

 
由于现货价与合约价间仍有高达30~35%溢价差,业界预期合约价逐月调涨至年底,包括华邦电、晶豪科、钰创等营运看旺到第四季。
 
根据集邦统计,利基型DRAM因供不应求,5月合约价持续调涨,4Gb x16 DDR4合约均价上涨9%达2.45美元,4Gb x16 DDR3合约均价上涨9%达2.43美元,累计今年涨幅已达52~57%。缺货严重的2Gb x16 DDR3合约均价上涨13%达1.97美元,累计今年涨幅已逼近90%。
 
虽然市场认为近来新冠肺炎疫情全球蔓延情况难以控制,利基型DRAM价格涨势恐趋缓,不过实际上仍是供不应求,而且现货价在第二季已站稳3美元以上,其中4G x16 DDR4/DDR3的现货价今年累计涨幅高达80%,2Gb x16 DDR3现货价累计涨幅已达1.4倍。由于现货价与合约价间仍有高达30~35%溢价差,2Gb x16 DDR3溢价差还高达60~70%,业界预期合约价将逐月上涨到年底。
 
由供给面来看,三大DRAM厂去年第四季调整产品线,主要产能移转生产8Gb以上容量标准型及服务器DDR4,增加行动式及低功耗LPDDR及绘图用GDDR产出比重,策略性淡出4Gb以下容量利基型DRAM。同时,韩系大厂将旧DRAM产能移转生产CMOS影像传感器,同样导致利基型DRAM供给明显减少。
 
但由需求来看,应用在工控及安防的人工智能物联网(AIoT)遍地开花,包括先进驾驶辅助系统(ADAS)等车用电子及消费性电子需求爆发,相关应用仍然大量采用4Gb以下容量DDR4/DDR3等利基型DRAM。总体来看,利基型DRAM供不应求情况将延续到下半年,价格涨势将持续到年底。
 
三大DRAM厂减少4Gb以下容量利基型DRAM供货,系统厂及OEM厂订单大举转向台湾,包括南亚科、华邦电、晶豪科、钰创等接单全满。其中,华邦电利基型DRAM出货畅旺,第三季产能已被客户预购一空。晶豪科在WiFi装置及行动路由器的利基型DRAM及MCP扩大出货,手握低价库存有助于获利强劲成长;钰创专精型缓冲DRAM已推进至25nm,打进5G宽带通讯、人工智能(AI)终端、云端储存等新兴应用大厂供应链并量产出货中。

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点击数:0 | 更新时间:2021-06-08 17:20:00
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