产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 78 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.6 W
特性
符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能
小型封装，实现紧凑设计
超低RDS(ON)，降低导通损耗
经过优化的栅极电荷，降低开关损耗
高功率密度
出色导热性能
效率更高
无卤、无铅，符合RoHS指令
应用
ORing
电机驱动器
DC-DC转换器
电源负载开关
电池管理
高端计算
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