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英飞凌新型IPW65R019C7 650V CoolMOS™C7功率晶体管
<概要>
英飞凌的新型CoolMOS™C7系列是技术上的革命性进步，提供世界上最低的RDS（on /）封装，
并且由于其低开关损耗，可在整个负载范围内提高效率。
<功能摘要>
650V电压
革命性的一流R DS（上）/包
存储在输出电容中的能量减少（Eoss）
降低栅极电荷Qg
通过使用更小的包装或减少零件节省空间
在Superjunction Technology拥有12年制造经验
<主要规格>
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19 毫欧 @ 58.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 2.92mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 215nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9900pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 446W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
<目标应用>
电信
服务器
太阳能
PC电源
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
