明佳达电子现货供应Altera《5SGXMA7H3F35C2N》FPGA Stratix®VGX系列现场可编程门阵列
| 制造商 | Altera |
| 型号 | 5SGXMA7H3F35C2N |
| 封装 | BGA |
产品技术规格
| 欧盟RoHS | 符合豁免 |
| ECCN（美国） | 3A001.a.7.a |
| 部分状态 | 活性 |
| 姓 | Stratix®VGX |
| 用户I / O. | 552 |
| 工艺技术 | 28nm制程 |
| 登记数量 | 939000 |
| 工作电源电压（V） | 0.85 |
| 逻辑元素 | 622000 |
| 乘数的数量 | 512（18x18） |
| 程序存储器类型 | SRAM |
| 嵌入式存储器（Kbit） | 51200 |
| Block RAM总数 | 2560 |
| EMACS | 2 |
| IP核心 | SPAUI MAC | RapidIO转AXI桥接控制器（RAB）|子帧延迟JPEG 2000编码器（BA130）| RLDRAM II控制器内核| Viterbi编译器，低速/混合串行解码器 |
| 提供商名称 | Altera / Barco Silex / Mobiveil，Inc / Commsonic |
| 设备逻辑单元 | 622000 |
| 设备DLL / PLL数量 | 28 |
| 收发器通道 | 24 |
| 收发器速度（Gbps） | 14.1 |
| 专用DSP | 256 |
| 的PCIe | 4 |
| 可编程 | 是 |
| 可重编程性支持 | 是 |
| 复制保护 | 没有 |
| 系统内可编程性 | 是 |
| 速度等级 | 2 |
| 差分I / O标准 | HCSL | LVPECL | LVDS |
| 单端I / O标准 | LVCMOS | LVTTL |
| 外部存储器接口 | RLDRAM III | DDR3 SDRAM | DDR2 SDRAM | RLDRAM II | QDRII + SRAM |
| 最低工作电源电压（V） | 0.82 |
| 最大工作电源电压（V） | 0.88 |
| I / O电压（V） | 3 | 1.2 | 1.25 | 1.5 | 1.35 | 2.5 | 1.8 |
| 最低工作温度（°C） | 0 |
| 最高工作温度（°C） | 85 |
| 供应商温度等级 | 广告 |
| 商品名 | 的Stratix |
| 供应商包装 | FC-FBGA |
| 标准包装名称 | BGA |
| 针数 | 1152 |
| 安装 | 表面贴装 |
| 包装高度 | 2.9 |
| 包装长度 | 35 |
| 包装宽度 | 35 |
| PCB改变了 | 1152 |
| 铅形状 | 球 |
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实物图：5SGXMA7H3F35C2N
