深圳市明佳达电子有限公司库存现货供应IR IRF3808 IRF3808STRRPBF 200W 晶体管 - FET，MOSFET - 单
品牌：IR
批号：11+
封装：TO-263
优点
改进了门，雪崩和动态dv / dt Ruggedness
完全特性的电容和电容雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅
符合RoHS标准，无卤素
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 82A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 220nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5310pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
应用
高效率同步整流SMPS
不间断电源
高速电源切换
硬开关和高频电路
实物图
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来自：深圳市明佳达电子有限公司
