深圳市明佳达电子有限公司进口原装SPANSION S29GL512P11FFI010 NOR闪存存储器 512Mb 3V 100ns Parallel
| 制造商 | SPANSION |
| 型号 | S29GL512P11FFI010 |
| 批号 | 10+ |
特色鲜明
单3V读/编程/擦除（2.7-3.6 V）
增强的VersatileI / O™控制
- 所有输入电平（地址，控制和DQ输入电平）和输出
由V IO 输入上的电压决定。V IO 范围为1.65至V CC
90 nm MirrorBit工艺技术
8字/ 16字节页面读取缓冲区
32字/ 64字节写缓冲区减少了整体编程
多字更新的时间
安全硅业区
- 128字/ 256字节扇区，用于永久，安全识别
通过一个8字/ 16字节的随机电子序列号
- 可以在工厂或客户进行编程和锁定
统一64Kword / 128KByte扇区架构
- S29GL01GP：一万二二十四个扇区
- S29GL512P：五百二十个扇区
- S29GL256P：256个扇区
- S29GL128P：128个扇区
每个扇区典型100,000个擦除周期
典型的20年数据保留
提供包
- 56引脚TSOP
- 64球强化BGA
程序和擦除的挂起和恢复命令
操作
写操作状态位指示编程和擦除
操作完成
解锁旁路编程命令以减少编程
时间
支持CFI（通用闪存接口）
高级部门的持久性和密码方法
保护
WP＃/ ACC输入
- 加速编程时间（当应用V ACC 时）更大
系统生产期间的吞吐量
- 无论扇区保护设置如何，都保护第一个或最后一个扇区
硬件复位输入（RESET＃）复位设备
就绪/忙碌＃输出（RY / BY＃）检测编程或擦除
循环完成
一般说明
Spansion S29GL512P11FFI010 是采用90纳米制程技术制造的Mirrorbit™闪存产品。这些器件提供25 ns的快速页面访问时间，相应的随机访问时间为110 ns。它们具有写缓冲区允许在一次操作中最多编程32个字/ 64个字节，从而加快编程时间比标准的编程算法。
这使得这些器件非常适合当今需要更高性能的嵌入式应用密度，更好的性能和更低的功耗。
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