深圳市明佳达电子有限公司库存现货出售《IRF7101PBF》MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
| 制造商 | IR |
| 型号 | IRF7101PBF |
| 批次 | 09/10+ |
产品描述：
IR第四代HEXFET整流器利用先进的处理技术实现每个硅最低的导通电阻区域。这种好处，加上快速切换HEXFET的速度和坚固耐用的器件设计功率MOSFET众所周知，提供设计师使用极其高效的设备各种各样的应用程序。
SO-8已通过定制进行了修改引线框架增强热特性和双芯片功能使其成为各种电源的理想选择应用。
随着这些改进，多个设备可以在应用程序中显着使用减少了板面空间。该包装是专为气相，红外线或波峰焊技术。功耗可以大于0.8W典型的PCB安装应用。
规格参数：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
品牌 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 管件
零件状态 Digi-Key 停产
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 320pF @ 15V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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图片：IRF7101PBF
