深圳市明佳达电子大量现货出售飞兆 FDMA410NZ 单个N通道20V 9.5A功率场效应晶体管
制造商 FAIRCHILD
制造商零件编号 FDMA410NZ
描述 MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET
批号 11+
湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装型-N-通道-20V-9.5A（Ta）-2.4W（Ta）-6-MicroFET（2x2）
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 PowerTrench®
特征
最大r DS（on）=29mΩ，V GS = 2.5 V，I D = 8.0 A.
最大r DS（on）=36mΩ，V GS = 1.8 V，I D = 4.0 A.
最大r DS（on）=50mΩ，V GS = 1.5 V，I D = 2.0 A.
HBM ESD保护等级> 2.5 kV（注3）
低封装 - 新型封装MicroFET最大0.8 mm2x2毫米
符合RoHS标准
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 9.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1080pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-MicroFET（2x2）
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘
一般说明
该单N沟道MOSFET采用了设计飞兆半导体公司先进的Power Trench工艺在特殊MicroFET上优化r DS（ON）@ V GS = 1.5 V.引线框架。
应用
锂电池组
实单者请联系陈先生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
网站首页
www.hkmjd.com/proclass-read-id-1189867.html
来自：深圳市明佳达电子有限公司
