明佳达电子公司飞思卡尔供应 MRF5S9080NBR1 65V 960MHZ 射频金属氧化物场效应晶体管
品牌 飞思卡尔 型号 MRF5S9080NBR1 批号 12+ 封装 TO-272
描述：专为GSM和GSM EDGE基站应用而设计频率从869到960 MHz。适用于TDMA，CDMA和多载波放大器应用。
GSM应用
•典型的GSM性能：V DD = 26伏，I DQ = 600 mA，P out = 80瓦
CW，全频带（869-894 MHz或921-960 MHz）。
功率增益 - 18.5 dB
排水效率 - 60％
GSM EDGE应用
•典型的GSM EDGE性能：V DD = 26 V，I DQ = 550 mA，
P out = 36瓦平均，全频带（869-894 MHz或
921-960 MHz）。
功率增益 - 19 dB
排水效率 - 42％
频谱再生@ 400 kHz偏移= -63 dBc
频谱再生@ 600 kHz偏移= -78 dBc
EVM - 2.5％rms
•能够处理10：1 VSWR，@ 26 Vdc，960 MHz，80 W CW
输出功率
特征
•以系列等效大信号阻抗参数为特征
•内部匹配，易于使用
•最高可达32 V DD 操作
•集成ESD保护
•200_C带塑料封装
•符合RoHS标准
•在磁带和卷轴中。R1后缀=每44毫米500个单位，13英寸卷轴。
规格
晶体管类型 LDMOS
频率 960MHz
增益 18.5dB
电压 - 测试 26V
额定电流（安培） -
噪声系数 -
电流 - 测试 600mA
功率 - 输出 80W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 TO-272BB
供应商器件封装 TO-272 WB-4
实物图
源自：深圳市明佳达电子有限公司
