ON NTMD6N02R2G 20V 3.92A 2N双通道逻辑电平门场效应管

明佳达全新原装出售ON《NTMD6N02R2G》20V 3.92A 2N双通道逻辑电平门场效应管

规格

FET 类型 2 N-通道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.92A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 16V

功率 - 最大值 730mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

特征

• 超低R DS（on）

• 更高效率延长电池寿命

• 逻辑电平门驱动

• 微型双SOIC-8表面贴装封装

• 二极管表现出高速，软恢复

• 指定雪崩能量

•提供的SOIC-8安装信息

• 无铅封装可用

应用领域

• DC-DC转换器

• 低压电动机控制

• 便携式和电池供电产品中的电源管理，

例如，计算机，打印机，蜂窝电话和无绳电话

和PCMCIA卡

图片

实单请来电咨询陈先生：

电话：13410018555

QQ：1668527835

网站：http://www.hkmjd.com/

产品咨询：http://www.hkmjd.com/news

来自：深圳市明佳达电子有限公司