深圳市明佳达电子有限公司全新原装NXP PMGD280UN 2N-CH 20V 0.87A 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
| 批次 | 1728+ |
| 封装 | SOT-363 |
| 型号 | PMGD280UN |
说明
塑料封装中的双N沟道增强模式场效应晶体管，使用TrenchMOS™技术。
规格
FET 类型 2 N-通道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 870mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 340 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.89nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 20V
功率 - 最大值 400mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 6-TSSOP
特点
表面安装封装
占地面积比SOT23小40％
双设备
快速切换
低通态电阻
低阈值电压。
应用
驱动器电路
■ 接通便携式设备
实图
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