深圳市明佳达电子全新原装供应CYPRESS《CY7C1474V25-200BGC》:72Mb 静态随机存取存储器 公司现货
批次：13+/14+
型号：CY7C1474V25-200BGC
封装：BGA
品牌：CYPRESS
产品描述
CY7C1470V25 / CY7C1472V25 / CY7C1474V25为2.5V，2M x 36 / 4M x 18 / 1M x 72同步流水线突发SRAM无总线
延迟™（NoBL™）逻辑。他们是设计用于支持无限的真实背对背读取/写入运作与没有等待状态。配备CY7C1470V25 /
CY7C1472V25 / CY7C1474V25具有启用consec-所需的高级（NoBL）逻辑进行读取/写入操作，并传输数据每个时钟周期。
此功能大大改善了需要频繁写入/读取的系统中的数据吞吐量过渡。
CY7C1470V25 / CY7C1472V25 / CY7C1474V25与ZBT设备引脚兼容，并且在功能上等效于ZBT设备。所有同步输入均通
过受控的输入寄存器在时钟的上升沿。所有数据输出均通过输出寄存器由时钟的上升沿控制。的时钟输入由“时钟启用”（CEN）
信号限定，取消置位时会暂停操作并扩展前一个时钟周期。写操作由字节写选择
（CY7C1474V25的BW a –BW h ，BW a –BW dCY7C1470V25和BW a – CY7C1472V25的BW b ）和a写使能（WE）输入。
所有写操作均在片上进行同步自定时写电路。
三个同步芯片使能（CE 1 ，CE 2 ，CE 3 ）和一个异步输出使能（OE）提供轻松存储选择和输出三态控制。为了避免公交
车争用时，输出驱动器处于同步三态在写序列的数据部分期间。
参数
存储器类型 易失
存储器格式 SRAM
技术 SRAM - 同步，SDR
存储容量 72Mb （1M x 72）
存储器接口 并联
时钟频率 200MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 3ns
电压 - 电源 2.375V ~ 2.625V
工作温度 0°C ~ 70°C（TA）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 209-BGA
供应商器件封装 209-FBGA（14x22）
特征
•引脚兼容，功能等同于ZBT™
•支持零等待状态的250 MHz总线操作
—可用的速度等级为250、200和167 MHz
•内部自定时输出缓冲器控制，消除了使用异步OE的需要
•完全注册（输入和输出）用于管道运作
•字节写入能力
•2.5V单电源
•2.5V / 1.8VI / O电源（V DDQ ）
•快速的时钟输出时间
— 3.0 ns（对于250 MHz器件）
•时钟使能（CEN）引脚可暂停操作
•同步自定时写入
•CY7C1470V25，CY7C1472V25可用于JEDEC标准的无铅100引脚TQFP，无铅和无铅165球FBGA封装。
CY7C1474V25提供无铅和无铅209球FBGA包
•兼容IEEE 1149.1 JTAG边界扫描
•突发功能-线性或交错突发顺序
应用领域
联网
测验设备
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
