深圳市明佳达电子原装现货供应DALLAS《DS1230Y-100》256K非易失性 SRAM存储器
批号：0626+
封装：PDIP
描述
DS1230 256k非易失性SRAM是262,144位，全静态，非易失性SRAM，其组织为32,768字乘以8位。每个NV SRAM都有一个独立的锂能源和控制电路它会持续监控V CC 的超限情况。当发生这种情况时，锂能源自动打开并无条件启用写保护防止数据损坏。DIP封装DS1230器件可代替现有的32k x 8静态器件使用RAM直接符合流行的字节宽28引脚DIP标准。DIP设备还与28256 EEPROM的引脚排列，可以直接替换，同时提高性能。DS1230器件“薄型模块”包装中的“ Low Profile”是专门为表面安装应用设计的。没有限制可以执行的写周期数，并且不需要其他支持电路微处理器接口。
规格
| 存储器类型 | 非易失 |
|---|---|
| 存储器格式 | NVSRAM |
| 技术 | NVSRAM（非易失性 SRAM） |
| 存储容量 | 256Kb （32K x 8） |
| 存储器接口 | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页 | 100ns |
| 访问时间 | 100ns |
| 电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商器件封装 | 28-EDIP |
特征
至少保留10年
没有外部力量
上电期间自动保护数据失利
替换32k x 8易失性静态RAM，
EEPROM或闪存
无限写入周期
低功耗CMOS
读写访问时间高达70 ns
锂能源是电的
断开连接以保持新鲜度，直到断电
第一次申请充分
±10％VCC 工作范围（DS1230Y）可选的
±5％VCC 工作范围（DS1230AB）可选的工业温度范围
-40°C至+ 85°C，指定为INDJEDEC标准28引脚DIP封装
新的PowerCap模块（PCM）封装
--可直接表面安装的模块
--可更换的嵌入式PowerCap提供锂备用电池
--所有非易失性的标准化引脚排列SRAM产品
--PowerCap的分离功能允许使用普通螺丝刀轻松拆卸
实单者请联系陈生：
QQ：1668527835
电话：13410018555
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