深圳市明佳达电子有限公司优势现货ST出售 STD3NK60Z N-CH 600V 2.4A 表面贴装型场效应晶体管
| 批号 | 09+ |
| 封装 | IPAK |
描述
SuperMESH™系列可通过以下方式获得：ST完善的带钢的极端优化-基于PowerMESH™布局。除了推导通电阻显着下降，需要特别注意zh-CN确保为该设备提供非常好的dv / dt功能
最苛刻的应用。这样的系列完成-ST全系列高压MOSFET输入-包括革命性的MDmesh™产品。
规格
| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 311pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
应用领域
高电流，高速开关
离线电源的理想选择
适配器和PFC
灯光
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实物图:STD3NK60Z
