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MRF7P20040HSR3 65V 2.03GHZ LDMOS双射频功率场效应晶体管

深圳市明佳达电子供应MRF7P20040HSR3 65V 2.03GHZ LDMOS双射频功率场效应晶体管  进口原装现货  质量可保证

批号:09+

封装:RF Mosfet 高频/射频管

 

描述

专为1800至1800 MHz频率的CDMA基站应用而设计2200 MHz。可用于所有典型的蜂窝基站的AB级和C级电台调制格式。•典型的Doherty单载波W-CDMA性能:V DD = 32 V,I DQA = 150 mA,V GSB = 1.5 Vdc,P out = 10 Watts Avg。,IQ幅值削波,通道带宽= 3.84 MHz,输入信号PAR = 9.9 dB @0.01%机率在CCDF上。

描述:MOSFET RF N-CH 40W NI780HS-4
晶体管类型:LDMOS(双)
频率:2.03GHz
增益:18.2dB
电压 - 测试:32V
额定电流:10µA
单位重量: 6.469 g
电流 - 测试:150mA
功率 - 输出:10W
电压 - 额定:65V
供应商器件封装:NI-780HS-4

特征

•生产在对称Doherty配置中经过测试

•100%PAR经过测试,可确保输出功率能力

•表征为等效串联大信号阻抗参数和公共源S参数

•内部匹配,易于使用

•集成式ESD保护

•更大的负栅极-源极电压范围,可改善C类运作方式

•设计用于数字预失真纠错系统

•符合RoHS

•在卷带式中。R3后缀= 250单位,56毫米胶带宽度,13英寸卷盘。

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图片:

MRF7P20040HSR3

 

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点击数:0 | 更新时间:2020-06-18 14:20:37
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