明佳达电子原装现货供应东芝场效应晶体管《TPC8016-H》N沟道MOS类型
| 批号 | 04+ |
| 封装 | SOP8 |
高速高效DC-DC转换器
便携式设备应用
•体积小巧，占用空间小
•高速切换
•小栅极电荷：Qg = 48 nc（典型值）
•低漏源导通电阻：R DS（ON）= 3.7 mO（典型值）
•高前移准入率：| Y fs | = 25 S（典型值）
•低泄漏电流：I DSS = 10 µA（最大值）（V DS = 30 V）
•增强模式：V th = 1.1至2.3 V（V DS = 10 V，ID = 1 mA）
产品属性
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 15 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 1.68 mm
长度: 4.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: TPC8016-H
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.9 mm
下降时间: 9.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.8 ns
子类别: MOSFETs
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