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IR《IRF8707 IRF8707TRPBF》N沟道晶体管 - FET,MOSFET - 单个

 明佳达电子全新原装IRIRF8707 IRF8707TRPBF》N沟道晶体管 - FET,MOSFET - 单个

型号:IRF8707TRPBF
品牌:IR IR

批号:10+ 

封装:SOP8 

 

描述

Infineon 30VHEXFET®功率MOSFET专为要求小尺寸,高效率和改进的导热性的高密度应用而设计,使其非常适合笔记本电脑应用以及服务器,高级电信和电信应用中使用的负载点(POL)转换器。数据通信系统。这些30VHEXFET®功率MOSFET较前几代产品显着改善了栅极氧化层,并提供了高性能,可作为优化12VIN / 1-3VOUT DC-DC同步降压转换器应用的系统范围解决方案的一部分。低R DS(on)低Qg使得这些Infineon 30VHEXFET®功率MOSFET非常适合负载点转换器应用。低的传导损耗提高了满载效率和热性能,而低的开关损耗甚至在轻载时也有助于实现高效率。

30VHEXFET®功率MOSFET较前几代产品显着改善了栅极氧化物,并提供了高性能,可作为系统范围解决方案的一部分,以优化12V IN / 1-3V OUT DC-DC同步降压转换器应用。低R DS(on)  和低Qg使得这些Infineon 30VHEXFET®功率MOSFET非常适合负载点转换器应用。低的传导损耗提高了满载效率和热性能,而低的开关损耗即使在轻载时也有助于实现高效率。

规格

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.9 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 760pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

实物图

IRF8707TRPBF

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QQ:1668527835

电话:13410018555

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点击数:0 | 更新时间:2020-07-14 13:31:27
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