深圳市明佳达电子供应AOS《AO4494》30V 18A N沟道金属氧化物场效应晶体管 全新原装现货 价格实惠 质量保证
型号：AO4494
封装：SOP-8
批次：15+
描述
AO4494结合了先进的沟槽MOSFET低电阻封装技术提供R DS（ON）极低。该设备用于PWM应用程序。
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1900pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
实物图
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
