深圳市明佳达电子原装提供AOS《AON6312》MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
| 型号 | AON6312 |
| 批号 | 18+ |
| 封装 | DFN |
说明
•沟槽功率MOSFET技术
•低R DS（ON）
•低栅极电荷
•高电流能力
•符合RoHS和无卤素标准
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.85 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 65nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3100pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6）
封装/外壳 8-PowerSMD，扁平引线
应用领域
•计算中的DC / DC转换器
•电信和工业中的隔离式DC / DC转换器
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