热销VISHAY威世 SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP 30V 24A N沟道场效应管

 明佳达电子原装热销VISHAY威世 SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP 30V 24A N沟道场效应管

特征

•低热阻的PowerPAK ® 包装低1.07毫米轮廓

•针对高端同步整流器进行了优化操作方式

•已通过100％R g 和UIS测试

•物料分类：用于符合性的定义

参数

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Id-连续漏极电流: 24 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷: 44 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 29.8 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

高度: 1.04 mm

长度: 6.15 mm

系列: SIR

宽度: 5.15 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

单位重量: 506.600 mg

应用

• 笔记本CPU核

-高侧开关

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QQ：1668527835

电话：13410018555

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实物图：SIR172ADP-T1-GE3