深圳市明佳达电子出售INFINEON《IPT059N15N3》N沟道 150V 155A 金属氧化场效应晶体挂号
型号 | IPT059N15N3 |
年份 | 最新 |
封装 | HSOF-8 |
产品属性
Infineon | ||
MOSFET | ||
Si | ||
SMD/SMT | ||
HSOF-8 | ||
N-Channel | ||
1 Channel | ||
150 V | ||
155 A | ||
5.9 mOhms | ||
- 20 V, + 20 V | ||
2 V | ||
69 nC | ||
- 55 C | ||
+ 175 C | ||
375 W | ||
Enhancement | ||
OptiMOS | ||
Cut Tape | ||
MouseReel | ||
Reel | ||
配置: | Single | |
高度: | 2.4 mm | |
长度: | 10.58 mm | |
系列: | OptiMOS 3 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
宽度: | 10.1 mm | |
商标: | Infineon Technologies | |
正向跨导 - 最小值: | 86 S | |
下降时间: | 14 ns | |
产品类型: | MOSFET | |
上升时间: | 35 ns | |
工厂包装数量: | 2000 | |
子类别: | MOSFETs | |
典型关闭延迟时间: | 46 ns | |
典型接通延迟时间: | 25 ns | |
零件号别名: | SP001100162 IPT059N15N3ATMA1 | |
单位重量: | 1.100 g |
实单者请来电联系陈先生:
QQ:1668527835
电话:13410018555
网站首页:www.hkmjd.com
实物图