【
新闻导读】碳化硅是第三代宽禁带半导体材料，与硅（Si）相比，碳化硅的介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高。因此，当用于半导体器件中时，碳化硅器件拥有高耐压、高速开关、低导通电阻、高效率等特性，有助于降低能耗和缩小系统尺寸。
目前碳化硅在电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上广泛应用。随着USB PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟，大功率快充电源市场逐渐兴起，碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角，被部分100W大功率氮化镓快充产品选用。
当频率升高时，关断和导通频繁，损耗就更加严重，如果二极管反向恢复时间过长，而频率过高的话，反向恢复阶段还没结束，下一个脉冲又到来，则二极管在正、反向都可导通，失去了二极管最基本的特性，起不到开关作用。二极管完全无法工作。
所以二极管反向恢复电流和恢复时间的存在会限制开关电源的开关频率，无法进一步小型化。高频整流电路中要选择反向恢复电流较小、反向恢复时间较小的整流二极管。另外反向恢复电流在CCM电流连续模式下，会对开关管造成很大的威胁。反向恢复的电压会反射到开关管上，使开关管的应力增加，损耗增大。
SiC的临界击穿场强是Si的10倍左右，这意味着SiC具有更高的电压耐受，耐压等级可达到3300V以上，适用的场合更广泛，在相同功率下SiC的尺寸可以做到更小。另外器件的导通电阻更小，高压损耗低。
SiC二极管的禁带宽度是硅管的三倍，有更高工作温度，硅管在150～175℃之后，可靠性和性能指标明显下降。而且SiC二极管的性能基本不受结温的影响，最高工作温度175℃ 依旧可以可靠运行。
在大功率快充电源产品中，碳化硅二极管搭配氮化镓功率器件，可以将PFC级的工作频率从不足100KHz提升到300KHz，由此减小升压电感体积，实现高功率密度的设计，同时产品的效率也达到了大幅提升，成为大功率电源产品的核心竞争力。因此，碳化硅在消费类电源领域的关注度越来越高。
本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播，或不应无偿使用，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失
