HIP2100 是一款高频 100V 半桥N 沟道功率 MOSFET 驱动器 IC。低边和高边栅极驱动器是独立控制和匹配到 8ns。这为用户提供了最大的灵活性死区时间选择和驱动程序协议。欠压对低端和高端电源的保护输出低。片上二极管消除了分立其他驱动器 IC 所需的二极管。一个新的电平转换器拓扑产生脉冲操作的低功耗优势具有直流操作的安全性。与一些竞争对手不同，高端输出在经过一段时间后恢复到正确状态高侧电源的瞬时欠压。
特征
• 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
• SOIC、EPSOIC、QFN 和 DFN 封装选项
• 符合 100V 的 SOIC、EPSOIC 和 DFN 封装IPC-2221 的导体间距指南
• 提供无铅产品（符合 RoHS）
• 自举电源最大电压为 114VDC
• 片上 1Ω 自举二极管
• 多兆赫电路的快速传播时间
• 以典型的上升和下降时间驱动 1000pF 负载。10ns
• CMOS 输入阈值可提高抗噪性
• 非半桥拓扑的独立输入
• 无启动问题
• 输出不受电源毛刺影响，下方 HS 振铃高 dv/dt 下的接地或 HS 回转
• 低功耗
• 供应范围广
• 电源欠压保护
•3Ω 驱动器输出电阻
• QFN/DFN 封装：
- 符合 JEDEC PUB95 MO-220QFN
- 四方扁平无引脚 - 封装外形
- 接近芯片级的封装尺寸，从而改进PCB 效率高且外形更薄
应用
• 电信半桥电源
• 航空电子 DC-DC 转换器
• 双开关正激转换器
• 有源钳位正向转换器
批号：07+
封装：SOP8
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