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N通道 NTMFS4C028NT1G NTMFS4C028 MOSFET 晶体管 - FET

明佳达最新库存 ON NTMFS4C028NT1G  N沟道 MOSFET 晶体管 - FET

 NTMFS4C028 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。

产品属性

FET 类型
N 通道
 
技术
MOSFET(金属氧化物)
 
漏源电压(Vdss)
30 V
 
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A(Ta)
 
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
 
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
 
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
 
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.9 nC @ 4.5 V
 
Vgs(最大值)
±20V
 
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1252 pF @ 15 V
 
FET 功能
-
 
功率耗散(最大值)
760mW(Ta),25.5W(Tc)
 
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
 
安装类型
表面贴装型
 
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
 
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线

应用

CPU 供电

DC-DC 转换器

公司网址:www.hkmjd.com/www.xjjhic.com

QQ:1668527835

电话:13410018555

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点击数:0 | 更新时间:2022-04-21 11:37:05
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