明佳达推出晶体管 NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
NTMFS4C029:表面贴装型 N 通道 30 V 15A（Ta），46A（Tc） 2.49W（Ta），23.6W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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类型
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描述
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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30 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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15A（Ta），46A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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5.88 毫欧 @ 30A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.2V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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18.6 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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987 pF @ 15 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.49W（Ta），23.6W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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封装/外壳
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8-PowerTDFN，5 引线
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特征
低 R DS(on)以最大限度地减少传导损耗
低电容以最大限度地减少驱动器损耗
优化栅极电荷以最小化开关损耗
符合 RoHS 标准
应用
CPU 供电
DC-DC 转换器
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