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晶体管 NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH

明佳达全新进口原装出售晶体管 NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH  价格优势  质量保证  欢迎联系

制造商编号:NTMFS4C029NT1G

制造商:onsemi

说明:MOSFET TRENCH 6 30V NCH

详细描述:表面贴装型 N 通道 30 V 15A(Ta),46A(Tc) 2.49W(Ta),23.6W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

产品属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 46 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 18.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 23.6 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 7 ns

正向跨导 - 最小值: 43 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 34 ns

系列: NTMFS4C029N

工厂包装数量:  1500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

单位重量: 750 mg

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点击数:0 | 更新时间:2022-06-20 13:53:19
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