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现金回收半导体芯片 PSMN4R8-100BSE MOSFET 晶体管 N 通道
参数
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漏源电压（Vdss）
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100 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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120A（Tj）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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4.8 毫欧 @ 25A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 1mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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278 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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14400 pF @ 50 V
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功率耗散（最大值）
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405W（Tc）
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公司回收电子呆料库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源IC、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。
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