供求碳化硅MOSFET IMBG120R090M1H、IMBG120R090M1HXTMA1 1200V 沟槽型

明佳达供求碳化硅MOSFET IMBG120R090M1H、IMBG120R090M1HXTMA1 1200V 沟槽型

供应型号：IMBG120R090M1H/IMBG120R090M1HXTMA1

品牌：Infineon

年份：最新21+

封装：TO-263-7

描述：IMBG120R090M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。

规格：

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Tc）  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 8.5A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 3.7mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +18V，-15V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 763 pF @ 800 V  

FET 功能 标准  

功率耗散（最大值） 136W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

供应商器件封装 PG-TO263-7-12  

封装/外壳 TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 

应用领域：

不间断电源（UPS）

电动汽车快速充电

工业电机驱动和控制

太阳能系统解决方案

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