明佳达供应和回收1200V沟槽式 IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅MOSFET
说明：IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
产品型号：IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1
品牌：英飞凌
批号：21+
描述：通孔 N 通道 1200 V 19A（Tc） 94W（Tc） PG-TO247-4-1
规格
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 182 毫欧 @ 6A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 454 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-4-1
封装/外壳 TO-247-4
应用领域
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
太阳能系统解决方案
公司还收购碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1，还回收电子呆料库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源IC、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。
回收具体流程：
1、您将积压的IC/模组库存进行简单分类，确定型号、品牌、生产日期、数量等；
2、请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队；
3、等待公司专业人士的采购报价，达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付；
4、只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源。
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