明佳达公司供应和回收IMBF170R1K0M1/IMBF170R1K0M1XTMA1 沟槽型碳化硅MOSFET 适用辅助电源
产品型号：IMBF170R1K0M1、IMBF170R1K0M1XTMA1
批号：最新21+
说明：IMBF170R1K0M1 CoolSiC™ 1700V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。
参数：
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 12V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5 nC @ 12 V
Vgs（最大值） +20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 275 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-13
封装/外壳 TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
产品优势
1700 V SiC MOSFET能实现简单高效的单端反激式拓扑结构，适用于辅助电源
SMD（表面贴装）封装便于直接集成于PCB，能实现自然对流冷却，无需额外的散热器
由于产品封装的爬电距离和电气间隙增大，隔离工作量减少
降低系统复杂性
高功率密度
应用领域
储能系统
电动汽车快速充电
电源
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
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服务特点：
1.代销 (回收资金较多、可控性高;缺点是处理时间较长、有仓储成本)，我们可以给您最高的回报率.
2.寄卖 (优点是回收资金较多、降低物流成本;缺点是 处理时间较长)，我们可以灵活的销售，专业的物流处理.
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回收具体流程：
1.您将积压的IC/模组库存进行简单分类，确定型号、品牌、生产日期、数量等.
2.请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队.
3.等待公司专业人士的采购报价，达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付.
4.公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源.
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