明佳达供应和回收氮化镓功率芯片NV6128、NV6127、NV6123、NV6125，其采用QFN6*8mm封装，在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。
年份：最新21+
封装：QFN
NV6128内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通压摆率可编程。具有开尔文源极，有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ，在纳微的氮化镓功率芯片中最低。芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。
NV6127采用QFN6*8mm封装，散热性能升级，125mΩ导阻，内置驱动器支持10-30V供电。最高支持2MHz开关频率。
NV6123这颗芯片是NV6113的散热增强版，为高频率和软开关拓扑优化，内部集成驱动器，导阻300mΩ，6*8mm QFN封装。
NV6125氮化镓功率芯片，内置驱动器，无需外置驱动器，175mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用散热增强的QFN6*8mm封装，适用于升压，降压，半桥，全桥开关电源等诸多应用场合。
特征
GaNFast™ 电源 IC
• 大冷却垫
• 使用 CS 电阻时增强散热
• 单片集成栅极驱动器
• 宽 VCC 范围（10 至 30 V）
• 可编程开启 dV/dt
• 200 V/ns dV/dt 抗扰度
• 800 V 瞬态电压额定值
• 650 V 连续额定电压
• 低 125 mΩ 电阻
• 零反向恢复电荷
• ESD 保护 – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)
• 2 MHz 操作
小型、薄型 SMT QFN
• 6 x 8 mm 占用空间，0.85 mm 轮廓
• 最小化封装电感
可持续性
• RoHS、无铅、符合 REACH 标准
• 与硅解决方案相比，节能高达 40%
• 系统级 4kg CO2 碳足迹减少
拓扑/应用
• AC-DC、DC-DC、DC-AC
• QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
• 无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、TV SMPS、服务器、电信
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