明佳达电子供应及回收IGBT模块FS03MR12A6MA1LBBPSA1、FS03MR12A6MA1LB MOSFET - 阵列 6 N-沟道
制造商：Infineon Technologies
年份：最新21+
详细描述：MOSFET - 阵列 6 N-沟道（3 相桥） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2
属性
FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.6nF @ 600V
功率 - 最大值：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2
潜在应用
汽车应用
混合动力电动汽车 (H)EV
电机驱动
商用农用车
主逆变器
诚信回收一系列模组如：5G、新能源、物联网、车联网、车规级、基站、通信、人工智能、射频、家电、晶闸管、医疗、工业、蓝牙5.0、以太网、传感器、光模块、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。
回收要求：公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源.
