深圳市明佳达电子供求晶体管 NTMFS4C09NT1G 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，52A，5.8mΩ
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制造商
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onsemi
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产品型号
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NTMFS4C09NT1G |
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描述
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MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
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最新21+
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详细描述
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表面贴装型 N 通道 30 V 9A（Ta） 760mW（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
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规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1252 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 760mW（Ta），25.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线
特征
低RDS(on)，最大限度地减少传导损耗
低电容以最小化驱动损耗
优化的栅极电荷，最大限度地减少开关损耗
符合RoHS标准
应用
CPU电源传输
直流-直流转换器
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