深圳市明佳达电子公司供应全新原装N沟道 MOSFET PSMN4R8-100BSE 晶体管 100V 120A 表面贴装型
| 年份 | 21+ |
| 封装 | TO-263 |
采用D2PAK封装的标准级N沟道MOSFET，合格温度为175℃。作为恩智浦 "NextPower Live "产品组合的一部分，PSMN4R8-100BSE补充了最新的 "热插拔 "控制器--足够坚固，能够承受开启时的大量浪涌电流，同时提供低RDS(on)特性，在持续使用中保持温度降低和效率提升。是基于48V背板/电源轨的电信系统的理想选择。
特征和优势
• 增强的正向偏压安全工作区，可实现卓越的线性模式操作
• 非常低的RDS(on)，可实现低导通损耗
参数
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 100 V | |
| 120 A | |
| 4.8 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 3 V | |
| 196 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 405 W | |
| Enhancement | |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 69 ns |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 65 ns |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 127 ns |
| 典型接通延迟时间: | 41 ns |
应用
• 电子熔断器
• 热交换
• 负载开关
• 软启动
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