明佳达电子公司出售功率MOSFET SI7114DN-T1-GE3 N 沟道 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V，全新原装，欢迎咨询！！！
| 型号 | SI7114DN-T1-GE3 |
| 批次 | 最新21+ |
| 封装 | QFN |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 18.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
特征
• 提供无卤素选项
• TrenchFET®第二代功率MOSFET
• 新型低热阻PowerPAK®封装，低1.07 mm外形
• 100%Rg测试
应用
• 同步整流
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