英飞凌最新推出（1200V SiC）AIMBG120R160M1 汽车碳化硅 MOSFET 单管

明佳达消息，英飞凌最新推出碳化硅 MOSFET AIMBG120R160M1 为混合动力汽车和电动汽车的当前和未来车载充电器和DC-DC应用而开发的。

潜在应用

• 板载充电器
• 直流-直流转换器

特征描述

• 革命性的半导体材料--碳化硅
• 非常低的开关损耗
• 无阈值的通态特性
• 0V的关断栅极电压
• 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
• 完全可控的dv/dt
• 换向稳健的主体二极管，可用于同步整流
• 与温度无关的关断开关损耗
• 用于优化开关性能的感测引脚
• 适用于HV爬电要求
• XT互连技术可实现一流的热性能

优势

• 提高效率
• 使得频率更高
• 提高功率密度
• 减少冷却工作量
• 降低系统复杂性和成本

（供应及回收）英飞凌碳化硅 MOSFET——AIMBG120R160M1，只要原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，翻新散新均不考虑，有满足以上需求欢迎联系我们陈先生QQ1668527835 手机13410018555！

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