深圳市明佳达电子有限公司供应和收购Micron内存芯片 MT40A1G16KH-062E AIT:E_MT40A256M16LY-062E AAT:F DDR4 SDRAM 动态随机存取存储器
| 供求型号 | MT40A1G16KH-062E AIT:E_MT40A256M16LY-062E AAT:F |
| 年份 | 最新23+ |
| 封装 | FBGA |
Micron DDR4（双数据速率4）SDRAM是一款高速动态随机存取内存，内部配置为8组DRAM（用于x16配置）和16组DRAM（用于x4和x8配置）。借助这些高密度器件，系统设计人员能够利用具有相同数量的部署获得更多可用内存，有助于增加系统的带宽或支持的功能集。DDR4内存还可以让设计人员以更少部署保持相同的密度，有助于降低成本。
Micron DDR4 SDRAM内存经过严格测试，可满足工业和汽车应用的极端温度和性能需求。
特性
优化了成本/性能/容量，数据速率高达3200Mb/s
带宽比DDR3增加了50%
1.2V低电压消耗（内核和I/O）降低了内存功率需求
与DDR3相比，节能特性可将整体功耗要求降低35%
连接测试模式可在系统测试期间实现早期故障检测，从而缩短调试时间，节省开发和生产成本
中心接合焊盘，可实现最高性能和最低成本
提高数据信号完整性和系统可靠性；ODT、DBI、命令/地址奇偶校验和CRC
支持高达16Gb单芯片密度
支持多级封装
容量更大的内存子系统，具有高达4芯片堆叠
采用FBGA-78和FBGA-98封装
工作温度选项
0°C至+95°C
-40°C至+95°C
-40°C至+105°C
-40°C至+125°C
应用
云服务器和数据中心
汽车
互动健康辅导和个性化健康监控
工业物联网和工业4.0
游戏PC
边缘和视频监控服务器
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