深圳市明佳达电子有限公司供应晶体管 QH8MA4TCR QH8MA4 30V N 和 P 沟道 小信号 MOSFET，进口原装，质量保证，实单有接受价可详谈，欢迎联系QQ1668527835，电话13410018555，邮箱chen13410018555@163.com！！！
特性
1) 低导通电阻
2) 小型表面贴装封装（TSMT8）
3) 无铅电镀；符合RoHS标准
4) 无卤素
应用
技术规格
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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配置
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N 和 P 沟道
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FET 功能
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-
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漏源电压（Vdss）
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30V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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9A，8A
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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16 毫欧 @ 9A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.5V @ 1mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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15.5nC @ 10V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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640pF @ 15V
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功率 - 最大值
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1.5W
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工作温度
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150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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8-SMD，扁平引线
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供应商器件封装
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TSMT8
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基本产品编号
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QH8MA4
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公司网址：www.szmjd.com
