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供求（600V CoolMOS™ S7）IPQC60R017S7XTMA1、IPDQ60R017S7XTMA1 N-沟道功率 MOSFET

深圳市明佳达电子有限公司供求英飞凌（600V CoolMOS™ S7）IPQC60R017S7XTMA1、IPDQ60R017S7XTMA1 N-沟道功率 MOSFET 表面贴装型  600 V 30A（Tc） 500W（Tc）

IPQC60R017S7XTMA1、IPDQ60R017S7XTMA1产品描述：

英飞凌的高性能CoolMOS™SJ MOSFET技术可以轻松设计新的高功率产品，提高速度和卓越的质量。S7系列高压超结mosfet通过将22mOhm芯片独特地安装到创新的小型TO-leadless (TOLL) SMD封装中，为功率密度设定了新的基准。

此外，该产品系列的一个亮点是QDPAK封装，它有顶部封装和底部封装两种型号，其特点是RDS(on)低至前所未见的10 mOhm，即IPDQ60R010S7和IPQC60R010S7。

技术规格

  • 系列： CoolMOS™ S7    
  • FET 类型： N 通道  
  • 技术： MOSFET（金属氧化物）  
  • 漏源电压（Vdss）： 600 V  
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：30A（Tc）  
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 12V  
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 @ 29A，12V  
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） ：4.5V @ 1.89mA  
  • 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 196 nC @ 12 V  
  • Vgs（最大值）： ±20V  
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7370 pF @ 300 V  
  • FET 功能： -  
  • 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）  
  • 工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  
  • 安装类型： 表面贴装型  
  • 供应商器件封装： PG-HDSOP-22
  • 封装/外壳： 22-PowerBSOP 模块

潜在应用

  • 固态继电器和断路开关
  • 大功率/高性能应用中的线路校正，如计算机、 电信、UPS和太阳能

公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源。

如有需求，欢迎致电联系陈先生：

QQ：1668527835

电话：13410018555

邮箱：chen13410018555@163.com

公司网址：www.szmjd.com、www.hkmjd.com

 
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点击数：0 | 更新时间：2023-06-19 11:57:50
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