深圳市明佳达电子有限公司供应及回收IGBT晶体管 STG200M65F2D8AG 汽车级650 V、200 A沟槽栅场截止M系列IGBT晶片，D8封装
STG200M65F2D8AG器件概述
该器件是一个使用先进的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，它代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正的VCE(sat)温度系数和严格的参数分布使得并联操作更加安全。
特征
符合AEC-Q101标准
低损耗系列IGBT
低VCE(sat)=1.55 V（典型值），IC=200 A时
正的VCE(sat)温度系数
严格的参数分布
最高结温： TJ = 175 °C
6 µs的最小短路承受时间，TJ = 150 °C时
产品应用
主变频器（电力牵引）
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