供求碳化硅MOSFET《SCTW90N65G2V、SCTL90N65G2V》通孔 N 通道 650 V

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产品详情：

SCTW90N65G2V：碳化硅功率MOSFET，650 V、119 A、18 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装

这款碳化硅功率MOSFET器件是采用意法半导体先进的创新第二代SiC MOSFET技术开发的。该器件的单位面积导通电阻非常低，开关性能非常好。

所有功能：

• 非常高的工作结温能力(TJ=200 °C)
• 非常快速和坚固的本体二极管
• 极低的栅极电荷和输入电容

应用：

• 开关应用
• 可再生能源系统的电源
• 高频DC-DC转换器

SCTL90N65G2V：碳化硅功率MOSFET，650 V，典型值18 mOhm，40 A，采用PowerFLAT 8x8 HV封装。

该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。

所有功能

• 稳定的超快速本体二极管
• 低电容
• 源极感应引脚可提高效率

应用

• 开关模式电源
• 直流-直流转换器
• 工业电机控制

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