深圳市明佳达电子有限公司【分销ON】NTH4L040N120SC1 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET，40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L，进口原装，质量保证！！！
NTH4L040N120SC1器件概述：
安森美 1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用全新技术，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。这些MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。1200V EliteSiC MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。这些MOSFET具有阻断电压、高速开关、低电容等特性，工作温度范围为-55°C至175°C。1200V SiC MOSFET符合汽车AEC-Q101标准和RoHS指令。
特点
• 类型. RDS(on)=40 m
• 超低栅极电荷(QG(tot) = 106 nC)
• 低电容的高速开关 (Coss = 137 pF)
• 100%雪崩测试
• TJ = 175°C
• 该器件不含卤化物，符合RoHS豁免7a的要求、 无铅2LI（在第二层互连上）。
产品属性：
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FET 类型
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N 通道
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技术
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SiCFET（碳化硅）
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漏源电压（Vdss）
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1200 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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58A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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20V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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56毫欧 @ 35A，20V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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4，3V @ 10mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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106 nC @ 20 V
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Vgs（最大值）
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+25V，-15V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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1762 pF @ 800 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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319W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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通孔
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供应商器件封装
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TO-247-4L
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封装/外壳
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TO-247-4
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基本产品编号
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NTH4L040
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NTH4L040N120SC1 MOSFET非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。
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