明佳达电子有限公司供应及回收Microchip分立半导体模块《MSCSM120DHM31CTBL2NG》非对称桥SiC MOSFET功率模块
产品说明
MSCSM120DHM31CTBL2NG器件是一款非对称桥式1200 V/79 A碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
以下是MSCSM120DHM31CTBL2NG器件的主要特性：
• 碳化硅功率MOSFET
- 低RDS(on)
- 高速开关
• 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关行为不受温度影响
- VF 正温度系数
• 杂散电感极低
• 超轻重量和外形
• 开尔文源，易于驱动
• Si3N4基板，带厚铜，提高散热性能
• 内部热敏电阻用于温度监测
• 扩展温度范围
以下是MSCSM120DHM31CTBL2NG器件的应用：
• 高可靠性电源系统
• 高效率AC/DC和DC/AC转换器
• 电机控制
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