深圳市明佳达电子有限公司供应和求购英飞凌晶体管 IQE030N06NM5CGSCATMA1 N-通道功率MOSFET，只收原装正品，质量保证，欢迎咨询！！！
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制造商
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Infineon Technologies
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产品编号
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IQE030N06NM5CGSCATMA1 |
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描述
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OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
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新23+
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详细描述
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表面贴装型 N 通道 60 V 21A（Ta），132A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） PG-WHTFN-9-1
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产品规格
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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60 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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21A（Ta），132A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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6V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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3 毫欧 @ 20A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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3.3V @ 50µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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49 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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3800 pF @ 30 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.5W（Ta），100W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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PG-WHTFN-9-1
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封装/外壳
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9-PowerWDFN
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