明佳达公司长期供应，收购MOSFET IPT015N10NF2SATMA1 StrongIRFET™ 2功率晶体管 表面贴装型 N 通道
概述
英飞凌科技的IPT015N10NF2SATMA1 StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N沟道、正常电平、100%经过雪崩测试的MOSFET。英飞凌StrongIRFET 2 MOSFET优化用于各种应用。这些MOSFET的VDS范围为80V至100V，RDS(on)范围为2.4mΩ至8.2mΩ。
特性
- 优化用于各种应用
- N沟道，正常电平
- 100%经雪崩测试
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS指令
- 无卤素，符合IEC61249-2-21标准
规格
- 制造商: Infineon
- 产品种类: MOSFET
- 安装风格: SMD/SMT
- 封装 / 箱体: HSOF-8
- 晶体管极性: N-Channel
- 通道数量: 1 Channel
- Vds-漏源极击穿电压: 100 V
- Id-连续漏极电流: 315 A
- Rds On-漏源导通电阻: 1.5 mOhms
- Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
- Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
- Qg-栅极电荷: 161 nC
- 最小工作温度: - 55 C
- 最大工作温度: + 175 C
- Pd-功率耗散: 300 W
- 通道模式: Enhancement
- 系列: IPT015N10
- 配置: Single
- 下降时间: 33 ns
- 正向跨导 - 最小值: 135 S
- 上升时间: 65 ns
- 工厂包装数量: 1800
- 典型关闭延迟时间: 60 ns
- 典型接通延迟时间: 25 ns
- 零件号别名: IPT015N10NF2S SP005679723
封装电路应用
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