明佳达公司长期出售Microchip MSCSM120DDUM31CTBL2NG 双路双共源碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块
产品概述：
MSCSM120DDUM31CTBL2NG 器件是一个双双共源 1200 V/79 A 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块。
以下是 MSCSM120DDUM31CTBL2NG 器件的主要特性：
产品： 功率 MOSFET 模块
类型： 双路双共源 SiC MOSFET 功率模块
技术： SiC
Vf - 正向电压： 1.5 V，30 A
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, 25 V
安装风格： 螺钉安装
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度： + 175 C
配置： 双双共源
下降时间: 25 ns
Id- 连续漏极电流: 79 A
功率耗散： 310 W
Rds On-漏源导通电阻： 31 mOhms
上升时间： 30 毫微秒
晶体管极性： N 沟道
典型关闭延迟时间： 50 ns
典型接通延迟时间： 30 ns
Vds- 漏源极击穿电压： 1.2 kV
Vgs th-栅源极阈值电压： 1.8 V
优点
MSCSM120DDUM31CTBL2NG 设备具有以下优点：
• 高效率转换器
• 高频工作时性能卓越
• 直接安装到散热器上（隔离封装）
• 结壳热阻低
• 外形小巧
• 符合 RoHS 规范
• 电源和信号端子均可焊接，便于 PCB 安装
• 非常集成的电源转换系统
高价回收Microchip MSCSM120DDUM31CTBL2NG 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块，只要原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，散新翻新均不考虑，有满足以上需求欢迎联系我们陈先生QQ1668527835 手机13410018555！
公司网址：www.szmjd.com
