深圳市明佳达电子有限公司供应车规级MOSFET IPB120N10S4-05 OptiMOS® -T2 功率晶体管
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制造商
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Infineon Technologies
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制造商产品编号
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描述
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MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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批次
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23+
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详细描述
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表面贴装型 N 通道 100 V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3
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特征描述
N 通道正常电平 - 增强模式
AEC 101 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 的工作温度
环保产品（符合 RoHS ）
100% 经过雪崩测试
产品属性
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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100 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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120A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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5 毫欧 @ 100A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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3.5V @ 120µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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91 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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6540 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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190W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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PG-TO263-3
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封装/外壳
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TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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基本产品编号
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IPB120
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